米国での研究全体をDOEのJ.G.Daleyが総括的にまとめた。Coated Conductorの研究についてはLos Alamos National Laboratory(LANL)とOak Ridge National Laboratory(ORNL)が主導的に実施してきているが、面内配向超電導体の形成に必要なIBAD配向中間層テープやRABiTS配向テープはLANLやORNLから関連研究機関に供給する体制になっているようである。また、線材の長尺化の検討は主にORNLが担当し、3M社が電子ビーム蒸着法の連続化を独自に検討している。LANLは約1 m長のテープで1MA／cm2を達成している。最新のLANLのデータとテープ構造が示されたが、構成はハステロイテープ／YSZ／Y2O3／YBCOとなっており、日本で検討されている構造と同じになった。また、ORNLとLANLの共同研究として、IBAD法YSZ中間層上にBaF2法でYBCOを載せ3.2 MA/cm2を達成したと報告した。最近、米国ではこのBaF2法が盛んに検討されているが、RABiTSテープ（Ni）上ではBaF2法のJcが1〜2 MA/cm2にとどまっている。

　今回のMRSではRABiTS法Ni基板をメインに、中間層の複層化や、あらたな材料を組み合わせる研究報告が目立った。また、超電導層の合成プロセスとして、厚膜で高Jcが得られると考えられているBaF2法の検討が盛んになっている。

　LANLでは以前からテープを移動させた連続蒸着に着手し、既に高Jcを持つ1 m級線材を報告しているが、今回はORNLとIGC社から新たに連続テープ合成の報告があった。ORNLは電子ビーム蒸着によりRABiTS(Ni)テープを輻射加熱し、中間層およびYBCO層を形成するテープ巻き取り機構を持つ装置を導入した。線材の構成はNi／CeO2／YSZ／CeO2／YBCOで、YBCOはBaF2法で作製し、0.35 m/hでテープを移動させプリカーサを形成している。熱処理後のJc値は0.33 MA/cm2である。また、短尺での結果だが、新しい中間層構成としてRABiTS(Ni)／Y2O3／Yb2O3／YBCOを採用し、1.2 MA/cm2を得たことを報告した。IGC社は巻き取り機構を装備した連続CVD装置により、ハステロイ／IBADYSZ中間層、および配向Ni／CeO2中間層上にYBCOを連続形成している。CeO2中間層は0.3μm以上の厚さなるとクラックを生じることが問題である。IGC社でもハステロイ／YSZの組み合わせで0.1 ＭA/cm2以上のJcを得ている。

　今回のMRS Fall MeetingではLANLからの発表がなかったが、情報通によると、Bostonは距離的に遠いため、例年、春に西海岸で開催されるSpring Meetingに参加することが多い、との話であった。

(HMJ)